Rò rỉ hình ảnh thiết kế của Galaxy S25 Plus với công nghệ đột phá

Rò rỉ hình ảnh thiết kế của Galaxy S25 Plus với công nghệ đột phá
3 giờ trướcBài gốc
Hình ảnh rò rỉ được cho là của Galaxy S25 Plus sắp ra mắt.
Một trong những điểm nổi bật từ hình ảnh rò rỉ là sự xuất hiện của một chi tiết mới trên viền phải của Galaxy S25 Plus, ngay dưới vị trí của các nút nguồn và âm lượng. Thoạt nhìn, nó trông như một nút bấm mới, nhưng thực chất đây là anten mmWave chuyên dụng.
Anten này giúp cải thiện khả năng kết nối mạng 5G mmWave trên các thiết bị Galaxy S25, đặc biệt trên các mạng di động tại Mỹ. Công nghệ mmWave cung cấp băng thông cực cao và độ trễ thấp nhờ sử dụng tần số vô tuyến từ 24GHz đến 100GHz, mang lại tốc độ dữ liệu nhanh vượt trội.
Các rò rỉ cũng cho thấy Samsung có thể đi theo xu hướng của Apple khi loại bỏ khe cắm SIM vật lý trên các mẫu Galaxy S25 tại Mỹ, thay thế hoàn toàn bằng eSIM. Tương tự như Apple đã áp dụng với iPhone 14, việc này có thể tối ưu hóa không gian bên trong thiết bị và nâng cao trải nghiệm người dùng.
Những hình ảnh render của Samsung Galaxy S25 Plus. (Ảnh: Onleaks)
Không chỉ học hỏi từ thiết kế của Apple, hình ảnh rò rỉ cho thấy Samsung có thể áp dụng một tính năng tương tự nút Camera Control mà Apple giới thiệu trên iPhone 16 vào năm ngoái. Nếu điều này trở thành hiện thực, người dùng Galaxy S25 có thể mong đợi một bước tiến mới về khả năng điều khiển và tối ưu hóa trải nghiệm chụp ảnh.
Samsung tiếp tục khẳng định vị thế dẫn đầu trong việc triển khai công nghệ 5G toàn cầu. Với sự hỗ trợ của anten mmWave, Galaxy S25 không chỉ đáp ứng nhu cầu tốc độ cao mà còn giúp Samsung củng cố thị phần của mình trong mảng thiết bị mạng di động.
Galaxy S25 dự kiến sẽ là dòng flagship đánh dấu bước chuyển mình của Samsung, từ thiết kế đến công nghệ tích hợp. Với việc rò rỉ liên tục các chi tiết mới, dòng sản phẩm này hứa hẹn sẽ trở thành tâm điểm của thị trường công nghệ trong năm 2024.
Vũ Linh
Nguồn PL&XH : https://phapluatxahoi.kinhtedothi.vn/ro-ri-hinh-anh-thiet-ke-cua-galaxy-s25-plus-voi-cong-nghe-dot-pha-404663.html